Bonjour Pierre,
Ce buffer en SE a été étudié avec soin.
Il n'est pas bon dans le bas-brave (en dessous 50Hz) mais pour le reste c'est excellent. Mais surtout, et une fois n'est pas coutume, le design amène avec quelque chose de simple à un gestion de l'aspect thermique du transistor de sortie au petit oignon...
On notera avec les valeurs de composants sélectionné par le concepteur pour une sortie de 8 ohm :
- un variation de dissipation du MOSFET optimisée au mieux grâce aux choix des paramètres de fonctionnement et de l'inductance qui sont tout sauf dus au hasard.
- une variation de dissipation du MOSFET dont la fréquence est le double de celle du signal. De ce fait le substrat régule encore mieux la température de la puce.
Ce sont exactement les deux critères que je recherche quand je conçois un schéma d'ampli et j'avoue que là c'est un sans faute.
Voici les relevés de dissipation thermique de ce MOFO illustrant mon propos :
J'ai simulé le schéma en prenant un IRF530 parce que je n'ai pas le modèle du IRFP2250 d'origine du schéma.
Dans les courbe du bas, il s'agit d'une mesure de la variation de puissance dissipée du MOSFET dans le temps sur un burst de Sinus de 10V en entrée en faisant varier la valeur de la résistance série de l'inductance de sortie (ce paramètre joue un rôle important).
La courbe la plus basse à droite correspond à la valeur minimale de variation. C'est pour la veleur de résistance série de 0.7 ohm pour une tension d'alimentation de 19V et une charge de 8 ohm. C'est exactement ce que préconise l'auteur. L'inductance Hammond fait exactement 50mH et 0.7ohm de résistance.
Ce sont des trucs qu'on ne voit dans un schéma au premier coup d'oeil.
C'est remarquable.
Autre mesure intéressante, la fréquence de variation de la dissipation dans le MOSFET :
On voit que la fréquence est le double de celle du signal utile. Excellent pour que le substrat du MOSFET joue parfaitement son rôle de régulateur de température.
Pour garder ce très bon résultat, il faut maintenir les autres paramètres en l'état : tension d'alim de 19V, charge de 8 ohm.
Ce qui joue sur cet optimisation sont :
- tension d'alim
- courant de repos
- résistance série de l'inductance
- valeur de la charge
Tout est interdépendant. Tu fixes d'abord les Watts voulus, tu en déduis le courant de repos, puis la tension d'alim, puis la valeur de la résistance série de l'inductance. Si tu trouves pas , tu pars de l'inductance proche que tu as trouvée et tu recalcule les autres paramètre.
Je peux t'aider sur ce point.
Sinon, je note aussi au passage que la puissance est modeste mais que le transistor est balaise. Donc inertie thermique maximisée (au détriment des capacité parasites)
Et enfin : le couplage capacitif en sortie qui joue un rôle de filtre passe-haut qui atténue les tensions TBF générées par la thermique.
Pour moi, il n'y a rien à ajouter sauf à sortir l’artillerie lourde du genre casode commandée par un multiplieur analogique. Ça marche super bien mais tu ne reconnaîtrais plus schéma
A noté ici : un cascodage à valeur fixe n'apporte rien au plan thermique car le courant module.
Merci d'avoir poster ce schéma que je ne connaissais pas. En voie de medium-aigu dans un système multi-amplifié ça doit être absolument redoutable ou en ampli casque.
