Ad OHMinem 2

[RM8Kinoshita]

La conclusion de ce fil demandait quelques vérifications.
D'où son interruption de quelques mois.

Toutefois, la  virulente contestation non étayée, de
la commande en tension des transistors bipolaires
demande à revenir préalablement sur cette dernière
afin d'y apporter encore une fois quelques confirmations.
Celle-ci est nette et claire dans ce post de Winfield Hill :

https://cr4.globalspec.com/comment/72003...vs-Current

Traduit avec DeepL.com (version gratuite) :

les BJT sont des dispositifs de transconductance (entrée de tension, 
sortie de courant), tout comme les tubes et les FET, ce qui signifie 
qu'ils sont avant tout contrôlés par la tension.

Pour répondre à votre question : Comment le savoir ? je dirais que 
la physique et les formules sont la clé. Dans le cas du transistor, 
nous disposons de la physique de l'état solide qui se traduit 
par les formules rigoureuses d'Ebers-Moll, avec leur prédiction précise 
du courant de collecteur IC à partir de VBE, à savoir IC = IS (eVBE/VT -1), 
par opposition au vague gain β ou HFE, si nous essayons d'utiliser 
le courant pour la polarisation, etc. 
Le fait que vous puissiez polariser avec succès quelques circuits BJT 
avec du courant ne signifie pas qu'il s'agit de dispositifs contrôlés par le courant.

Un amplificateur différentiel à paire de queues longues va-t-il fonctionner 
avec un contrôle du courant sur les deux entrées de base ? Pas du tout. 

Un étage connecté en cascade va-t-il fonctionner avec un contrôle 
du courant à la base ? Non, bien sûr, c'est impossible. 

Un émetteur-suiveur pilotant un amplificateur en mode commun va-t-il 
fonctionner avec un contrôle du courant à la base de l'émetteur-suiveur ? Non. 

Qu'en est-il du fonctionnement d'un miroir de courant ? Non !

Le gain d'un étage à émetteur commun est RL/re, où re = k T / q IC, 
de manière étroitement contrôlée. re = 25 ohms à 1mA, et s'échelonnant 
inversement au courant, 250 ohms à 100uA, 2,5 ohms à 10mA. 
Très utile à retenir. Où se situe le courant de base dans cette scène ? 
En quoi cela vous aide-t-il à déterminer le gain d'un amplificateur 
à émetteur commun ? Nada.

***

Qui est Winfield Hill ?
(Rowland Institute, Harvard)
Co-auteur avec Paul Horowitz 
à partir des notes prises par leurs élèves de  
"Traité De L'electronique Analogique Et Numérique"
Volume 1, Techniques Analogiques
traduit en français, publié par Elektor en 1996.

Qui n'a jamais entendu parler de ce livre ?
Pour le sujet abordé ici, voir page 79 et suivantes.

***
mais encore ?

Winfield Hill a présenté ici un amplificateur 100 W / 8 Ω,
dont la vitesse rappelle une Formule 1 :

https://www.diyaudio.com/community/attac...ng.731956/

https://www.dropbox.com/sh/dno89om1uezxs...a?e=1&dl=0

https://linearaudio.net/winfield-hills-1...vus-amp-70

***

Contestable, ce que dit et fait ce monsieur ?

***

Texte original du post traduit ci-desss.

Yes, 2krishnanunnis, BJTs are transconductance devices (voltage in, current out), just like tubes and FETs, which means they are first and foremost, voltage controlled.

To answer your question: How to tell?, I'd say the physics and formulas are the key. In the case of the transistor we have the solid-state physics resulting in the rigorous Ebers-Moll formulas, with their precise prediction for collector current IC from VBE, namely IC = IS (eVBE/VT -1), as against the vague squishy β or HFE gain, if we try to use current for biasing, etc. Just because you can successfully bias a few BJT circuits with current doesn't meant they're current-controlled devices.

Is a long-tail pair differential-amplifier going to work with current control to the two base inputs? No way. Is a cascode-connected stage going to work with current control to the base? No, of course not, it can't. Is an emitter-follower driving a common-mode amplifier going to work with current control to the emitter-follower's base? No. How about the operation of a current mirror? Hah!

The gain of common-emitter stage is RL/re, where re = k T / q IC, in a tightly-controlled fashion. re = 25 ohms at 1mA, and scaling inversely to current, 250 ohms at 100uA, 2.5 ohms at 10mA. Very useful to remember. Where is base current in this scene? How does it help you determine the gain of a common-emitter amplifier? Nada.

Le lien complet de la discussion sur GlobalSpec :

https://cr4.globalspec.com/thread/68055/...vs-Current

Car il y a d'autres posts très intéressants de Winfield Hill à lire. 
Notamment celui-ci :

réponse #10 en réponse à #6

C'est bien le Hill qui a co-écrit le bouquin avec Paul Horowitz

 


crdt.

[6336A]

Bonsoir

œdicnème
Comment le savoir ? je dirais que 
la physique et les formules sont la clé. Dans le cas du transistor, 
nous disposons de la physique de l'état solide qui se traduit 
par les formules rigoureuses d'Ebers-Moll, avec leur prédiction précise 
du courant de collecteur IC à partir de VBE, à savoir IC = IS (eVBE/VT -1), 
par opposition au vague gain β ou HFE, si nous essayons d'utiliser 
le courant pour la polarisation, etc. 

Il s’agit de, attention à l’écriture :

Ce qui s’écrit comme ceci, sinon c’est faux.

Ic = Is*(e^(Vbe/Vt) - 1)

Les équations d’Ebers - Moll sont connues depuis les années 50, et s’enseignent également en université. Elles ne sont absolument pas en opposition avec « le vague gain β ou hfe » qui restent justes, mais vont de concert.

Dans cette formule, Vt  est la tension thermique qui est proportionnelle à la température, on prend 26mV à t°  ambiante.
Is est le courant de saturation inverse du transistor, soit environ 10fA pour un totor à petit signal. Ce courant est aussi fortement dépendant de la t°.  Tout comme β, qui est aussi vague que Is et Vt.
On peut également écrire la tension base-émetteur Vbe en fonction du courant collecteur, ce qui nous donne : (C’est des maths, et il parait que c’est juste) :

Vbe = Vt * ln [(Ic/Is) + 1]

Mais Ic  = β Ib et
 ∆Ic =β∆Ib  =gm ∆Vbe 
sont toujours vraies, et ne sont pas plus vagues que les équations d'Ebers et Moll.
D’ailleurs, les vraies équations non simplifiées sont :

   
Avec
   

Qui tiennent compte du β 
βf étant le gain du transistor
βr le gain inverse du transistor.

Donc, rien, absolument RIEN de nouveau sous le soleil. Nada, comme dit W. Hill. 
Parler de priorité de la tension plutôt que du courant dans un BJT revient à se poser la question de qui fut le premier entre la poule et l'œuf. Ça en devient risible.

On peut s'amuser avec ses équations, et constater qu'une augmentation de Vbe de 20mV par exemple double le courant collecteur.  Pour 60mV d'augmentation, il est multiplié par 10.

[œdicnème]

Parler de priorité de la tension plutôt que du courant dans un BJT
revient à se poser la question de qui fut le premier entre la poule et l'œuf.

Déjà dit à plusieurs reprises ici même :.
un courant a pour origine une source de tension, laquelle 
source n'a pas besoin de débiter du courant pour exister.
NB  En supraconduction : à priori on ne peut faire
débuter cette supraconduction sans une source de tension.
A partir de ce moment-là, on doit pouvoir commencer à 
parler de courant pur. Pas vraiment une préoccupation 
par rapport au sujet de ce fil.

On peut disposer d'autant de courant que l'on veut
(sorti d'où ?) tant que la tension entre base et émetteur 
d'un transistor silicium à la température de 293°K ne dépasse
0.38 V aucun courant ne circulera dans sa base.
Au delà, la tension base-émetteur reste le premier
des éléments déterminants le comportement
en courant du transistor.
 
Ce comportement d'un transistor dans un circuit fait l'objet
de documentations tant sérieuses que farfelues.
La plus utilisée en électronique audio analogique
inclut un modèle (nécessaire et le plus souvent suffisant 
dans ce domaine) présenté hier par Winfield Hill co-auteur
d'un livre fort connu. 

Si ce modèle est considéré comme insuffisant, 
on peut se tourner vers le HICUM.
https://www.iee.et.tu-dresden.de/iee/eb/...dtest.html

[JCB]

Déjà dit à plusieurs reprises ici même :.
un courant a pour origine une source de tension, laquelle
source n'a pas besoin de débiter du courant pour exister.

Il a été montré que sans la présence de charges électriques une tension (sous forme statique ou dynamique) ne peut apparaitre. Il en va de même pour un courant (synonyme de débit) qui ne peut exister.

On peut disposer d'autant de courant que l'on veut
(sorti d'où ?) tant que la tension entre base et émetteur
d'un transistor silicium à la température de 293°K ne dépasse
0.38 V aucun courant ne circulera dans sa base .

.
Ce qui est totalement faux. Considérer, qu'il est suffisamment faible pour être négligé, dans certaines applications, est plus réel. Négliger ne signifie pas qu'il est absent, mais relève d'une appréciation relative .

[œdicnème]

Petite remarque pour les sceptiques endurcis. 
Le principe de contre-réaction est similaire pour les tubes,
les FETS et les transistors bipolaires :
c'est la différence de potentiel entre leur électrode
d'entrée et leur électrode suiveuse qui commande
le courant circulant dans leur troisième électrode.

[JCB]

Petite remarque pour les sceptiques endurcis.
Le principe de contre-réaction est similaire pour les tubes,
les FETS et les transistors bipolaires :
c'est la différence de potentiel entre leur électrode
d'entrée et leur électrode suiveuse qui commande
le courant circulant dans leur troisième électrode.

Que vient faire la CR externe à un élément actif la dedans ?
Idem pour la tétrode, la pentode,...
Ce n'est pas sur ces bases que tu réussiras à convaincre.
A mon gout, un bon et vrai bouquin d'électricité te fera comprendre que tu es dans l'erreur.

[Lna]

Bjr,

Pour ma part, je ne parle qu'en ma personne.
Donc l'utilisation du "nous" est à proscrire chez moi.
Engager les autres sans les prévenir et sans leurs accords...
(...)

Je ne faisais que répéter ce que l'on m'a dit durant ma formation. "Le tube électronique est commandé en tension, le tuto c'est en courant".
Répéter sans vérifier et sans trop y réfléchir. C'est pas ce que j'ai fait de mieux dans ma vie. Un raisonnement schizophrènique d' écarté. J'en ai d'autres, c'est certain. Des bien cachés dans les détails et les fins fonds de mes raisonnements.

Bcdt.

The Lna's delight

[RM8Kinoshita]

Bonjour,

Parler de priorité de la tension plutôt que du courant dans un BJT revient à se poser la question de qui fut le premier entre la poule et l'œuf. Ça en devient risible.

Les scientifiques ont donné la réponse à cette question, elle ne se pose donc plus :

https://www.sciencesetavenir.fr/archeo-p...ier_176639

https://www.sciencesetavenir.fr/archeo-p...euf_175930

crdt

[6336A]

Les scientifiques ont donné la réponse à cette question, elle ne se pose donc plus :

Mais celle-ci se pose toujours :
Comment fait-on pour polariser un transistor en classe B optimale ?
Peut-être que la revue science et avenir répondra à la question ?

[jacquese]

Les scientifiques ont donné la réponse à cette question, elle ne se pose donc plus :

Mais celle-ci se pose toujours :
Comment fait-on pour polariser un transistor en classe B optimale ?
Peut-être que la revue science et avenir répondra à la question ?

Des circuits existent pour une polarisation parfaitement contrôlée.

Bonne soirée.

Jacques