Voici le schéma de L'Hiraga II : Montage base commune avec miroir de courant.
L'impédance d'entrée est de 27R. Celle de sortie 2,2K
Le gain à vide (sans cellule branchée) est de 77 soit 38dB. A = (2.2K //47K) / 27 = 77
Si nous prenons le même schéma, mais comme ceci, pour la simul:
Il circulera alors dans les 2 transistors un courant de l'ordre de 5mA.
L'impédance d'entrée passera alors à 5R. Celle de sortie à 680R.
Le gain à vide sera de 42dB. Il est de (680//47K) / 5 soit 134 = 42dB. Ce que la simul te confirmera.
Avec une cellule de 4R, (la zyx de grincheux par exemple) nous aurons pratiquement 37dB
Hélas, avec une cellule de 24R (la dv de grincheux également) nous aurons 27 dB (au lieu de 32 avec l'original)
Et avec une DL103 nous aurons 23 dB (au lieu de 30dB). Ceci à cause du pont diviseur en entrée.
Ce schéma convient bien mieux aux cellules de moins de 10R. Et en choisissant un transistor très silencieux, comme le ZTX951 ou le 851 son complémentaire qui ont un rbb' réellement inférieur à 2R pour un bruit de 0,2 nV √ Hz. Soit 4 fois moins qu'un MAT02 ou 03. Mais tout comme le 2SB737, il faut les faire fonctionner avec un Ic bien supérieur à 1mA. 5mA est un compromis.
Le bruit ramené à l'entrée passe de 1.1nV √ Hz à 400pF √ Hz, pratiquement divisé par 3 avec une cellule de 4R. A la simul, car à la mesure c'est l'enfer !
Donc, lorsque grincheux compare sa XV-1T avec la Zyx (4R 0,24mV), cette dernière avec son H2 ne joue pas à armes égales. Si il fait le montage ci-dessus, il pourra certainement mieux la juger. En tout cas, je préfère ce montage à l'original sur des cellules de faible impédance.
L'impédance d'entrée est de 27R. Celle de sortie 2,2K
Le gain à vide (sans cellule branchée) est de 77 soit 38dB. A = (2.2K //47K) / 27 = 77
Si nous prenons le même schéma, mais comme ceci, pour la simul:
Il circulera alors dans les 2 transistors un courant de l'ordre de 5mA.
L'impédance d'entrée passera alors à 5R. Celle de sortie à 680R.
Le gain à vide sera de 42dB. Il est de (680//47K) / 5 soit 134 = 42dB. Ce que la simul te confirmera.
Avec une cellule de 4R, (la zyx de grincheux par exemple) nous aurons pratiquement 37dB
Hélas, avec une cellule de 24R (la dv de grincheux également) nous aurons 27 dB (au lieu de 32 avec l'original)
Et avec une DL103 nous aurons 23 dB (au lieu de 30dB). Ceci à cause du pont diviseur en entrée.
Ce schéma convient bien mieux aux cellules de moins de 10R. Et en choisissant un transistor très silencieux, comme le ZTX951 ou le 851 son complémentaire qui ont un rbb' réellement inférieur à 2R pour un bruit de 0,2 nV √ Hz. Soit 4 fois moins qu'un MAT02 ou 03. Mais tout comme le 2SB737, il faut les faire fonctionner avec un Ic bien supérieur à 1mA. 5mA est un compromis.
Le bruit ramené à l'entrée passe de 1.1nV √ Hz à 400pF √ Hz, pratiquement divisé par 3 avec une cellule de 4R. A la simul, car à la mesure c'est l'enfer !
Donc, lorsque grincheux compare sa XV-1T avec la Zyx (4R 0,24mV), cette dernière avec son H2 ne joue pas à armes égales. Si il fait le montage ci-dessus, il pourra certainement mieux la juger. En tout cas, je préfère ce montage à l'original sur des cellules de faible impédance.
Les mathématiques sont l'art de donner le même nom à des choses différentes. (Henri Poincaré)
Dans LTSpice (par exemple) cette résistance se nomme Rser. Tu rentres sa valeur, et le logiciel l'intègre dans la simul. 
