Bonjour à tous,
C'est les vacances mais j'ai toujours mon simulateur sous la main, alors étant toujours passionné par ce sujet j'ai repris quelques études...
Je vous propose une technique de gestion des distorsions thermiques par auto-compensation de deux transistors dont l'ensemble des points de polarisation est identique (et donc la dissipation).
![[Image: 514235PrampcellV4.png]](https://img15.hostingpics.net/pics/514235PrampcellV4.png)
J2 est monté en CCS --> Vg = Vout
J1 est monté en suiveur --> Vg = Vin
Et comme polarisation identique de J1 et J2 ==> Vout = Vin !
Quelques mesures de performance...
Dissipation des FET :
![[Image: 655765PrampcellV4Thermique.png]](https://img4.hostingpics.net/pics/655765PrampcellV4Thermique.png)
Bande Passante, sans cellule en amont et sur 10K pure resistif :
![[Image: 841759PrampcellV4BP.png]](https://img4.hostingpics.net/pics/841759PrampcellV4BP.png)
Disto 2V 10KHz sur 10K en sortie :
![[Image: 147232PrampcellV4Disto10Ksortie.png]](https://img4.hostingpics.net/pics/147232PrampcellV4Disto10Ksortie.png)
Slew rate : 20ns pour -2 à 2V (avec petite cellule 100R//33p à l'entrée)
![[Image: 842111PrampcellV4slewrate.png]](https://img4.hostingpics.net/pics/842111PrampcellV4slewrate.png)
Les FET utilisés en simulation sont des FET HF.
Jacques
C'est les vacances mais j'ai toujours mon simulateur sous la main, alors étant toujours passionné par ce sujet j'ai repris quelques études...
Je vous propose une technique de gestion des distorsions thermiques par auto-compensation de deux transistors dont l'ensemble des points de polarisation est identique (et donc la dissipation).
J2 est monté en CCS --> Vg = Vout
J1 est monté en suiveur --> Vg = Vin
Et comme polarisation identique de J1 et J2 ==> Vout = Vin !
Quelques mesures de performance...
Dissipation des FET :
Bande Passante, sans cellule en amont et sur 10K pure resistif :
Disto 2V 10KHz sur 10K en sortie :
Slew rate : 20ns pour -2 à 2V (avec petite cellule 100R//33p à l'entrée)
Les FET utilisés en simulation sont des FET HF.
Jacques