08/11/2016-14:30:00
RE: Charge DL103
Bonjour,
Super ces docs Jérôme, merci.
Un grain de sel : Ce genre de montage (Hiraga 2, Marshall Leach) avec des transistors modernes au silicium a une impédance d'entrée d'environ 20 à 30 Ohm...pas plus !
Elle est sensiblement égale à l'inverse de la transconductance (gm) base-émetteur qui est en général, pour les transistors petits signaux de l'ordre de quelques dizaines de mS. Ce paramètre n'apparait pas toujours dans les Data Sheets courantes.
Voir ici : Etage ampli à transistor
Le montage 'base commune' agit comme un convoyeur de courant, le swing 'courant' de la cellule étant intégralement (ou presque, du fait du courant de base et du Gm évoqué plus haut), reflété dans la résistance collecteur du transistor. Le signal en sortie est donc = Swing courant dans la cellule x Charge dynamique du collecteur du transistor (Rcoll en // avec l'impédance d'entrée du pré qui suit le prépré).
Le prépré Hiraga 2 est donc un convertisseur I/V !
L'avantage est une très faible distorsion et un gain élevé - avec un générateur à basse impédance.
Les autres montages utilisant un Fet en ampli de tension (Source commune) ont une impédance d'entrée sensiblement = à la résistance placée entre la Gate et le 0. Ils ne sont pas totalement linéaires (vu l'amplitude en sortie, cela ne se voit pas trop !).
En ce qui concerne la DL103, les avis recueillis et les mesures m'incitent à charger entre 500 ET 1000 Ohm, pour une entrée en TENSION.
Mais...je n'ai pas (pas encore) d'avis sur l'approche I/V du Hiraga2 ou du Marshall Leach qui a première vue permet un amortissement musclé de la cellule et qui est peu sensible à la tension d'entrée.... c'est bien tentant !
PB
Super ces docs Jérôme, merci.
Un grain de sel : Ce genre de montage (Hiraga 2, Marshall Leach) avec des transistors modernes au silicium a une impédance d'entrée d'environ 20 à 30 Ohm...pas plus !
Elle est sensiblement égale à l'inverse de la transconductance (gm) base-émetteur qui est en général, pour les transistors petits signaux de l'ordre de quelques dizaines de mS. Ce paramètre n'apparait pas toujours dans les Data Sheets courantes.
Voir ici : Etage ampli à transistor
Le montage 'base commune' agit comme un convoyeur de courant, le swing 'courant' de la cellule étant intégralement (ou presque, du fait du courant de base et du Gm évoqué plus haut), reflété dans la résistance collecteur du transistor. Le signal en sortie est donc = Swing courant dans la cellule x Charge dynamique du collecteur du transistor (Rcoll en // avec l'impédance d'entrée du pré qui suit le prépré).
Le prépré Hiraga 2 est donc un convertisseur I/V !
L'avantage est une très faible distorsion et un gain élevé - avec un générateur à basse impédance.
Les autres montages utilisant un Fet en ampli de tension (Source commune) ont une impédance d'entrée sensiblement = à la résistance placée entre la Gate et le 0. Ils ne sont pas totalement linéaires (vu l'amplitude en sortie, cela ne se voit pas trop !).
En ce qui concerne la DL103, les avis recueillis et les mesures m'incitent à charger entre 500 ET 1000 Ohm, pour une entrée en TENSION.
Mais...je n'ai pas (pas encore) d'avis sur l'approche I/V du Hiraga2 ou du Marshall Leach qui a première vue permet un amortissement musclé de la cellule et qui est peu sensible à la tension d'entrée.... c'est bien tentant !
PB