Le schéma de la partie ampli classe A qui maintenant est à peu près sec :
Comme je le disais plus avant : c'est un ampli différentiel utilisable avec une entrée asymétrique ou une entrée symétrique. Les relais permettant de passer de choisir l'un ou l'autre sont embarqué sur cette carte Amp.
C'est du couplage direct de bout en bout.
Les 4 transistors de puissance sont identiques : des MOS Channel-P de référence IRF9610. L'utilisation de cette référence m'a fait aménager le rapport d'amplification d'impédance de charge que j'avais imaginé au départ. Je recherchais un MOS avec un ID max assez faible et surtout une capacité parasite minimale. L'IRF9610 est un candidat parfait. Et en regardant le datashet, j'ai été intrigué par la fonction de transfert du composant.
En effet, on peut voir que contrairement à la plupart des MOS qui ont un point d'invariance thermique en dehors de la plage d'utilisation, ici c'est très bas. Le croisement des trois courbes de transfert se fait à environ 120mA. Du coup j'ai choisi un courant de repos de 120mA qui amène l'invariance thermique sur l'étage de sortie, ce qui fait un capacité en courant de 240mA dans la charge et le réseau de CR. En conséquence j'ai modifié le ratio multiplicateur à AOPs / Ampli classe A pour qu'il puisse fournir plus de courant. Les valeur de R8 et R16 sont de 3.9. Avec 112 AOP en // avec des résistances de 10 ohms en série, le ratio passe à 3.9/(10/112) = 43 et l'ampli Classe A verra une charge en sortie de 8 x 43 = 344 ohms.
Au niveau de la dissipation au repos, l'ampli dissipe 6W répartis dans les 4 transistors de puissances.
L'ampli est alimenté en +/-13V. La consommation de courant sur toute la plage d'utilisation est constante au repos comme lors d'une modulation. Une alimentation stabilisée sera parfaite pour cet ampli et le découplage à prévoir est minimal.
Concernant l'appairage : toutes les transistors des sources de courant en haut du schéma sont appairées 2 à deux avec celles de ceux de l'autres branche du pont (Dual Matched Transistor). Les JFET d'entrée sont aussi appairés. On devrait avoir un offset inférieur à 10mV sans compensation.
Reste peut-être un petit doute sur le cascodage des JFET d'entrée. Il y a un risque d'instabilité qu'il faudra peut être compenser.
Comme je le disais plus avant : c'est un ampli différentiel utilisable avec une entrée asymétrique ou une entrée symétrique. Les relais permettant de passer de choisir l'un ou l'autre sont embarqué sur cette carte Amp.
C'est du couplage direct de bout en bout.
Les 4 transistors de puissance sont identiques : des MOS Channel-P de référence IRF9610. L'utilisation de cette référence m'a fait aménager le rapport d'amplification d'impédance de charge que j'avais imaginé au départ. Je recherchais un MOS avec un ID max assez faible et surtout une capacité parasite minimale. L'IRF9610 est un candidat parfait. Et en regardant le datashet, j'ai été intrigué par la fonction de transfert du composant.
En effet, on peut voir que contrairement à la plupart des MOS qui ont un point d'invariance thermique en dehors de la plage d'utilisation, ici c'est très bas. Le croisement des trois courbes de transfert se fait à environ 120mA. Du coup j'ai choisi un courant de repos de 120mA qui amène l'invariance thermique sur l'étage de sortie, ce qui fait un capacité en courant de 240mA dans la charge et le réseau de CR. En conséquence j'ai modifié le ratio multiplicateur à AOPs / Ampli classe A pour qu'il puisse fournir plus de courant. Les valeur de R8 et R16 sont de 3.9. Avec 112 AOP en // avec des résistances de 10 ohms en série, le ratio passe à 3.9/(10/112) = 43 et l'ampli Classe A verra une charge en sortie de 8 x 43 = 344 ohms.
Au niveau de la dissipation au repos, l'ampli dissipe 6W répartis dans les 4 transistors de puissances.
L'ampli est alimenté en +/-13V. La consommation de courant sur toute la plage d'utilisation est constante au repos comme lors d'une modulation. Une alimentation stabilisée sera parfaite pour cet ampli et le découplage à prévoir est minimal.
Concernant l'appairage : toutes les transistors des sources de courant en haut du schéma sont appairées 2 à deux avec celles de ceux de l'autres branche du pont (Dual Matched Transistor). Les JFET d'entrée sont aussi appairés. On devrait avoir un offset inférieur à 10mV sans compensation.
Reste peut-être un petit doute sur le cascodage des JFET d'entrée. Il y a un risque d'instabilité qu'il faudra peut être compenser.