25/06/2025-23:26:11
RE: Héphaïstos, 30 ans après
Ce qui m’étonne vraiment dans le lien donné par RM8 sur D. Self, le « quelqu'un qui n'a visiblement rien laissé au hasard dans son étude minutieuse » : est ceci, traduction :
" La distorsion thermique est parfois décrite comme celle causée par des variations cycliques de température à la fréquence du signal, modulant les paramètres des dispositifs. C’est un problème réel dans les circuits intégrés, où les dispositifs d’entrée et de sortie sont en étroite proximité thermique, mais dans un amplificateur de puissance à composants discrets, il n’existe pas un tel couplage, et donc pas une telle distorsion."
Ce qui signifie donc qu’il ne peut pas y avoir de distorsion thermique dans un amplificateur constitué de composants discrets… La chose est étudiée, l’affaire est entendue, et puis, s'il y en avait, elle "devrait apparaître comme une augmentation de THD (H2 et H3) à très basses fréquences. Mais comme nous avons 0,0006% de distorsion à 10Hz, il n’y en a pas."
Et comme cet intégriste de Fourier (il faut dire que l’on ne voit que ça à l’école dans le traitement du signal) ne pense qu’à la THD et à remporter la palme du nombre de 0 après la virgule, il n’y a rien d’étonnant...
C’est à croire qu’il n’a pas compris que c’est à l’intérieur du semi-conducteur que ça se passe… rien sur les 2mV/T°C du Vbe, nada à propos des constantes de temps thermiques au niveau et entre les jonctions des transistors lorsque leur puissance dissipée augmente… et un bon vieux passe bas dans la cr, manière d’en ajouter une bonne couche à l’entrée...
Blameless à la THD dixit Self, donc Blameless à l’écoute dixit RM8. C’est dans le dictionnaire des synonymes, ça ne se discute même pas. Et si ça ne vous plait pas, biais cognitif et REW.
" La distorsion thermique est parfois décrite comme celle causée par des variations cycliques de température à la fréquence du signal, modulant les paramètres des dispositifs. C’est un problème réel dans les circuits intégrés, où les dispositifs d’entrée et de sortie sont en étroite proximité thermique, mais dans un amplificateur de puissance à composants discrets, il n’existe pas un tel couplage, et donc pas une telle distorsion."
Ce qui signifie donc qu’il ne peut pas y avoir de distorsion thermique dans un amplificateur constitué de composants discrets… La chose est étudiée, l’affaire est entendue, et puis, s'il y en avait, elle "devrait apparaître comme une augmentation de THD (H2 et H3) à très basses fréquences. Mais comme nous avons 0,0006% de distorsion à 10Hz, il n’y en a pas."
Et comme cet intégriste de Fourier (il faut dire que l’on ne voit que ça à l’école dans le traitement du signal) ne pense qu’à la THD et à remporter la palme du nombre de 0 après la virgule, il n’y a rien d’étonnant...
C’est à croire qu’il n’a pas compris que c’est à l’intérieur du semi-conducteur que ça se passe… rien sur les 2mV/T°C du Vbe, nada à propos des constantes de temps thermiques au niveau et entre les jonctions des transistors lorsque leur puissance dissipée augmente… et un bon vieux passe bas dans la cr, manière d’en ajouter une bonne couche à l’entrée...
Blameless à la THD dixit Self, donc Blameless à l’écoute dixit RM8. C’est dans le dictionnaire des synonymes, ça ne se discute même pas. Et si ça ne vous plait pas, biais cognitif et REW.
Les mathématiques sont l'art de donner le même nom à des choses différentes. (Henri Poincaré)
